Recent Posts

تفاوت های ساختاری و عملکردی MOSFET و IGBT

IGBT

ماسفت (MOSFET: Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) و آی‌جی‌بی‌تی (IGBT: Insulated-Gate Bipolar Transistor) هر دو از قطعات کلیدی در الکترونیک قدرت و کاربردهای سوئیچینگ (کلیدزنی) هستند، اما تفاوت‌های ساختاری و عملکردی مهمی دارند که آن‌ها را برای کاربردهای مختلف مناسب می‌سازد. در زیر به صورت جامع به مقایسه، شباهت‌ها، تفاوت‌ها و نقاط قوت و ضعف هر یک می‌پردازم: ۱. شباهت‌ها ویژگیتوضیحاتکنترل ولتاژیهر …

ادامه مطلب >

امپدانس خروجی (Output Impedance) بخش فانکشن ژنراتور

امپدانس خروجی

امپدانس خروجی (Output Impedance) بخش فانکشن ژنراتور (Waveform Generator) در اسیلوسکوپ Hantek DSO2D15 یک مشخصه فنی مهم است که بر عملکرد آن هنگام اتصال به یک مدار خارجی تأثیر می‌گذارد. بر اساس مشخصات فنی این دستگاه، امپدانس خروجی فانکشن ژنراتور داخلی ۵۰ اهم است. جزئیات و توضیحات تکمیلی: مقدار امپدانس: امپدانس خروجی فانکشن ژنراتور DSO2D15 معمولاً (پنجاه اهم) است. این …

ادامه مطلب >

ساخت ژنراتور پالس بهمنی با استفاده از ترانزیستور NPN (منفی)

ژنراتور پالس بهمنی با ترانزیستور NPN

در این مطلب ساخت ژنراتور پالس بهمنی با استفاده از ترانزیستور منفی 2N3904 با هم انجام میدیم که برای تست سرعت نمونه برداری اسیلوسکوپ میتوانید استفاده نمایید.ترانزیستورهای بهمنی می‌توانند برای تولید پالس‌های با زمان خیزش سریع استفاده شوند. استفاده از آنها در دنیای سرگرمی پس از یادداشت کاربردی (AN72) توسط جیم ویلیامز محبوب شد. بسیاری از افراد چنین ژنراتورهای پالس …

ادامه مطلب >